隨著存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格回升，賽道內(nèi)企業(yè)迎來(lái)業(yè)績(jī)兌現(xiàn)。4月17日，佰維存儲(chǔ)披露2024年第一季度業(yè)績(jī)預(yù)告，預(yù)計(jì)報(bào)告期內(nèi)營(yíng)業(yè)收入17億元至18億元，同比增長(zhǎng)299.54%至323.04%;預(yù)計(jì)歸母凈利潤(rùn)1.5億元至1.8億元，同比增長(zhǎng)219.03%至242.84%。
除佰維存儲(chǔ)之外，還有瀾起科技、德明利、全志科技等多家存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈上市公司已披露2024年第一季度業(yè)績(jī)預(yù)告，根據(jù)預(yù)告，這些公司集體迎來(lái)業(yè)績(jī)爆發(fā)，一季度預(yù)計(jì)歸母凈利潤(rùn)同比增幅下限均超200%。
TrendForce集邦咨詢(xún)資深研究副總經(jīng)理吳雅婷在接受《證券日?qǐng)?bào)》記者采訪時(shí)表示：“2024年第一季度，存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格環(huán)比上漲幅度達(dá)到20%左右。接下來(lái)的第二季度，價(jià)格上漲趨勢(shì)將延續(xù)，具體漲幅有待觀察，賽道內(nèi)企業(yè)有望持續(xù)受益。”
業(yè)績(jī)集體高增
多家存儲(chǔ)上市公司在業(yè)績(jī)預(yù)告中提到，下游市場(chǎng)需求恢復(fù)帶動(dòng)業(yè)績(jī)高增。
佰維存儲(chǔ)方面表示，2023年第四季度以來(lái)，存儲(chǔ)行業(yè)回暖，下游客戶需求持續(xù)復(fù)蘇，公司大力拓展國(guó)內(nèi)外一線客戶，產(chǎn)品銷(xiāo)量同比大幅提升。同時(shí)，存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)回升，公司經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)不斷改善。此外，公司在存儲(chǔ)解決方案研發(fā)、芯片設(shè)計(jì)、先進(jìn)封測(cè)和測(cè)試設(shè)備等領(lǐng)域不斷加大研發(fā)投入，持續(xù)增強(qiáng)核心競(jìng)爭(zhēng)力，2024年第一季度研發(fā)費(fèi)用約為1億元，同比增長(zhǎng)超200%。
全球內(nèi)存接口芯片龍頭瀾起科技業(yè)績(jī)預(yù)告顯示，公司預(yù)計(jì)2024年第一季度營(yíng)業(yè)收入7.37億元，同比增長(zhǎng)75.74%;預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)2.1億元至2.4億元，同比增長(zhǎng)9.65倍至11.17倍。自今年年初以來(lái)，內(nèi)存接口芯片需求實(shí)現(xiàn)恢復(fù)性增長(zhǎng)，公司部分新產(chǎn)品開(kāi)始規(guī)模出貨，推動(dòng)公司2024年第一季度收入及凈利潤(rùn)較上年同期大幅增長(zhǎng)。
智帆海岸機(jī)構(gòu)首席顧問(wèn)、資深產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)觀察家梁振鵬向《證券日?qǐng)?bào)》記者表示：“存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格自2023年第三季度末進(jìn)入上升通道，行業(yè)內(nèi)上市公司的盈利能力整體得到改善。其中，卡位中高端存儲(chǔ)市場(chǎng)的上市公司更有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，一些公司在最近幾個(gè)季度陸續(xù)走入盈利通道。”
漲價(jià)有望持續(xù)
信達(dá)證券電子行業(yè)首席分析師莫文宇在研報(bào)中介紹，4月9日，美光公司已向多數(shù)客戶提出調(diào)升DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)第二季度報(bào)價(jià)，漲幅超過(guò)20%，目前價(jià)格談判仍在進(jìn)行中。
近日，西部數(shù)據(jù)提出，HDD(硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器)和SSD(固態(tài)硬盤(pán))均出現(xiàn)供應(yīng)短缺，將繼續(xù)調(diào)整閃存和硬盤(pán)產(chǎn)品的價(jià)格，部分調(diào)整將立即生效。
從更長(zhǎng)的時(shí)間維度來(lái)看，存儲(chǔ)行業(yè)周期一般為3年至4年。而針對(duì)本輪存儲(chǔ)景氣周期，吳雅婷表示：“由于市場(chǎng)需求的不同，不同類(lèi)型存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格的上行期時(shí)間和上行幅度都將有所區(qū)別。相比NANDFlash(閃存存儲(chǔ)器)，DRAM受益于HBM(高帶寬內(nèi)存)滲透率持續(xù)增加，排擠一般DRAM有效產(chǎn)能，因此供貨吃緊態(tài)勢(shì)有可能維持較長(zhǎng)時(shí)間。”
來(lái)源：證券日?qǐng)?bào) 記者 丁 蓉
評(píng)論