據(jù)報道，IDC近日發(fā)布的報告對全球數(shù)據(jù)圈進(jìn)行了未來五年預(yù)測。報告預(yù)測，全球2024年將生成159.2ZB數(shù)據(jù)，2028年將增加一倍以上，達(dá)到384.6ZB，復(fù)合增長率為24.4%。長期以來，人工智能的影響力在各個領(lǐng)域和技術(shù)中都很明顯，包括智能監(jiān)控、智能助理以及AI支持的商業(yè)工具和工業(yè)自動化等等，這些因素共同推動了生成和存儲的數(shù)據(jù)量的穩(wěn)步增長。
受到大模型時代的高算力、大存儲的現(xiàn)實(shí)需求推動，下游市場復(fù)蘇疊加AI浪潮驅(qū)動，將GPU及存儲需求迅速提升。存儲行業(yè)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的第二大細(xì)分市場。權(quán)威數(shù)據(jù)顯示，2023年我國存儲市場規(guī)模約為5400 億元。當(dāng)前新一輪人工智能浪潮爆發(fā)，由AI 服務(wù)器帶來存儲芯片新的增量需求，有分析師預(yù)測，2024 年市場規(guī)模將增長至5513 億元。盡管目前全球存儲芯片供應(yīng)商主要來自韓國和美國，但由AI 需求所帶動的存儲產(chǎn)業(yè)鏈需求巨大，中國存儲廠商抓住機(jī)遇，依然有較大發(fā)展空間。
廣發(fā)證券研報指出，大模型的參數(shù)量指數(shù)級增長對與處理器匹配的內(nèi)存系統(tǒng)提出了更高的要求，AI存儲要求更大容量、更大帶寬、更低功耗。內(nèi)存系統(tǒng)自下而上可以分為單元、陣列、die、封裝、系統(tǒng)幾個層級，最重要的性能參數(shù)是容量、帶寬和延遲，同時還需要考慮能耗和性價比。目前，DDR5是最新一代DDR標(biāo)準(zhǔn)，LPDDR正在成為數(shù)據(jù)中心CPU的新選擇，DRAM芯片本身的性能提升越來越難，從內(nèi)存模組和系統(tǒng)架構(gòu)層面進(jìn)行性能提升成為新的方向。近年來，大部分高端數(shù)據(jù)中心GPU和ASIC均使用HBM作為內(nèi)存方案，GDDR在推理等場景中具備性價比優(yōu)勢，未來，HBM技術(shù)持續(xù)向更高帶寬、更大容量發(fā)展。
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